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SiHF18N50D
100
www.vishay.com
T J = 150 °C
20.0
16.0
Vishay Siliconix
10
12.0
T J = 25 °C
8.0
1
4.0
V GS = 0 V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
V S D , S ource-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
1000
Operation in thi s area
limited by R D S (on)
T J , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
625
600
100
575
10
1
Limited by R D S (on) *
100 μ s
1 m s
550
525
T C = 25 °C
10 m s
500
0.1
T J = 150 °C
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
475
1
10
100
1000
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 10 - Typical Drain-to-Source Voltage vs. Temperature
0.1
0.1
0.05
0.02
S ingle Pul s e
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pul s e Time ( s )
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
S12-1228-Rev. A, 21-May-12
4
Document Number: 91507
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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